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MOSFETS场效应管
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RDS(on)
封装形式
B VDSS
[V]
ID
[A]
PD
[W]
Max(Ω)
VGS
(V)
 
SI2300
N
20
3.8
1.25
0.04
4.5
SI2301　
P
-20
-2.0
0.9
0.1
-4.5
SI2301DS
P
-20
-2.4
0.9
0.1
-4.5
SI2302　
N
20
2.5
1.25
0.095
4.5
SI2303
P
-30
-1.7
1.25
0.2
-10
SI2304
N
30
2.5
1.25
0.117
10
SI2305
P
-8
-3.5
1.25
0.052
-4.5
SI2306　
N
30
3.5
1.25
0.057
10
SI2307　
P
-30
-3
1.25
0.08
-10
SI2308　
N
60
2
1.25
0.16
10
SI2309　
P
-60
-1.25
1.25
0.34
-10
SI2310　
N
60
3
1.38
0.09
10
SI2312　
N
20
4.9
1.25
0.031
4.5
SI2315　
P
-12
-3.5
1.25
0.055
-4.5
SI2319　
P
-40
-3
1.25
0.082
-10
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